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[发明专利]掩模版图修正方法、掩模版制作方法和光学邻近校正方法-CN200910054974.7有效
发明人：张飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-16 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种掩模版图修正方法、掩模版制作方法和光学邻近校正方法，其中，所述掩模版图修正方法，包括：检查掩模版图的测试图形，获取待修正图案；将所述待修正图案旋转预定角度，使所述待修正图案所需的曝光能量较旋转前增加；将旋转后的所述待修正图案与掩模版图测试图形中的其它图案相结合，形成新的掩模版图。本发明通过对从掩模版图测试图形中选出待修正的图案进行旋转，实现工艺窗口和禁止光学空间周期的扩大。
模版修正方法制作方法光学邻近校正

[发明专利]测试掩模版及其形成方法、测试掩模版的形成装置-CN201910898773.9有效
发明人：姚军;张雷 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种测试掩模版及其形成方法、测试掩模版的形成装置。所述测试掩模版的形成方法包括如下步骤：形成具有多个测试图形的初始版图，相邻测试图形之间具有第一间隙；获取对应的产品掩模版中的图形密度分布；添加若干冗余图形至所述初始版图的所述第一间隙中，形成版图，所述版图中的图形密度分布与所述产品掩模版中的图形密度分布的差值在一预设范围内；根据所述版图生成测试掩模版。本发明减少甚至是消除了测试掩模版在制备过程中由刻蚀负载效应对其不同位置关键尺寸产生的不利影响，提高了测试掩模版的图形尺寸精度。用本发明生产的测试掩模版建立OPC修正模型，提高了模型精度以及对应产品掩模版的修正效果，改善了光刻质量。
测试模版及其形成方法装置

[发明专利]掩模版图校正方法、掩模版图和掩模版制造方法-CN200910056019.7有效
发明人：朴世镇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种掩模版图校正方法、掩模版图和掩模版制造方法，其中，所述掩模版图校正方法，包括：对掩模版图进行检查，选出其中间距小于光刻设备分辨率的至少一对掩模版图案对；从每一对掩模版图案对中选出一个掩模版图案，根据旁瓣效应，形成与所述选出的掩模版图案对应的至少两个辅助图案，以替换所述选出的掩模版图案；其中，所述辅助图案的尺寸小于光刻设备分辨率尺寸，且所述辅助图案的中心位于以所述掩模版图案中心为圆心、旁瓣距离为半径的圆周上本发明通过构建辅助图形，使得仅采用一次曝光就能够实现其关键尺寸小于光刻设备分辨率的图形的转移，节省了大量人力和时间，提高了生产效率，节约了成本。
模版校正方法制造

[发明专利]用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法-CN201910742905.9在审
发明人：王辉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，包括：步骤一、进行掩模版设计，在掩模版上形成有掩模版图形，掩模版图形用于定义光刻图形；光刻图形具有侧壁，在掩模版图形上设置有定义光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图形结构，掩模版侧面图形结构具有使曝光光强逐渐变化的结构；步骤二、在需要曝光的基底上涂布光刻胶；步骤三、采用掩模版对光刻胶进行曝光，进行显影形成光刻图形，在曝光过程中，掩模版侧面图形结构通过使曝光光强逐渐变化来定义光刻图形的侧壁形貌本发明能定义光刻图形侧壁形貌，方便形成侧面倾斜的光刻图形侧壁。
光刻图形掩模版侧壁形貌掩模版图形图形结构侧面逐渐变化曝光光侧壁掩模版设计光刻工艺曝光过程曝光光刻胶后烘基底显影

[发明专利]用于定义光刻图形侧壁形貌的掩模版-CN201910742911.4在审
发明人：王辉;张雪 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的掩模版，在掩模版上形成有掩模版图形，掩模版图形用于定义光刻图形；光刻图形具有侧壁，在掩模版图形上设置有定义光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图形结构，掩模版侧面图形结构具有使曝光光强逐渐变化的结构，曝光光强越大的区域光刻图形的侧壁的高度越低以及曝光光强越小的区域光刻图形的侧壁的高度高，掩模版侧面图形结构通过使曝光光强逐渐变化来定义光刻图形的侧壁形貌。本发明还公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法。本发明能定义光刻图形侧壁形貌，方便形成侧面倾斜的光刻图形侧壁。
光刻图形侧壁形貌掩模版曝光光侧壁掩模版图形图形结构侧面逐渐变化光刻工艺

[发明专利]一种计算光刻中掩模版的处理方法及装置-CN201910072613.9有效
发明人：阎江;梁文青 -专利权人：墨研计算科学（南京）有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种计算光刻中掩模版的处理方法及装置，在所述方法中，通过多边形的顶点数据，获取多边形中边的长度以及方向，并根据所述边的长度以及方向定义多边形的数据格式，令掩模版图形按照所述数据格式进行存储、相较于现有技术，本申请公开的方法，通过对掩模版图形中多边形的边进行存储，有效的减小了掩模版图形的存储空间，并使得掩模版图形的数据在计算机程序之间能够实现快速读取以及传输。并且，在获取掩模版图形函数时，基于多边形中边的方向，对基本图形函数进行线性组合，提高计算光刻的效率。
一种计算光刻模版处理方法装置

[发明专利]掩模版图修正方法、掩模版制作方法和光学邻近校正方法-CN200910054943.1有效
发明人：李承赫 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-16 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种掩模版图修正方法、掩模版制作方法和光学邻近校正方法，其中所述掩模版图修正方法，包括：检查掩膜版图，判断是否存在会产生旁瓣的区域；如果不存在，则将所述掩模版图作为新的掩模版图，停止对其进行修正；如果存在，继续进入下一步修正；在所述掩膜版图产生旁瓣的区域内添加辅助图形，形成新的掩膜版图，重新检查掩模版图，直至新的掩膜版图中不再出现会产生旁瓣的区域，修正停止。本发明根据将掩模版图各区域的曝光能量与阈值相比较，添加辅助图形，从而抑制旁瓣效应，实施简单，不影响其它的工艺参数，且有利于提高生产效率。
模版修正方法制作方法光学邻近校正

[发明专利]一种应用于产生掩模图形的方法、应用于产生掩模图形的装置及电子设备-CN202210035463.6在审
发明人：王航宇 -专利权人：深圳晶源信息技术有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路掩模设计领域，尤其涉及一种应用于产生掩模图形的方法、应用于产生掩模图形的装置及电子设备，该方法包括步骤：提供一个或者多个初始掩模图形的初始掩模版图，基于每个初始掩模图形对应的坐标信息建立关于初始位置信息矩阵对每个初始掩模图形进行标定；选出待修正掩模图形，提供关于每个待修正掩模图形的修正规则，将每个修正规则和初始位置信息矩阵关联以将修正规则匹配到对应位置信息处的该待修正掩模图形；基于待修正掩模图形的位置信息应用匹配的修正规则对初始掩模版图进行修正；输出修正后的掩模版图，通过该方法修正初始掩模图形速度快，准确找到待修正的待修正掩模图形，修正后获得的掩模版图具有较宽的工艺窗口。
一种应用于产生图形方法装置电子设备

[发明专利]光刻方法-CN201010022586.3无效
发明人：朴世镇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种光刻方法，包括：将设计图形拆分成第一掩模版图和第二掩模版图，所述第一掩模版图和所述第二掩模版图重叠的区域为设计图形；采用所述第一掩模版图对硅片进行曝光显影，所述硅片至少包括待刻蚀层和位于所述待刻蚀层表面的硬掩模层，通过第一次刻蚀将所述第一掩模版图转移至所述硅片的硬掩模层上；在所述硬掩模层和所述待刻蚀层的表面形成第二光刻胶层，将所述第二掩模版图转移至所述第二光刻胶层上，并基于所述第二光刻胶层和所述硬掩模层进行第二次刻蚀，将所述设计图形转移至所述硅片的待刻蚀层上。本发明上述实施方式可应用于掩模版的制作，也可应用于芯片产品的生产，可利用现有的工艺条件获得尺寸小与分辨率的图案，提高了产品的良率。
光刻方法

[发明专利]一种掩模版图违例自动修复方法、数据库训练方法、系统及计算机设备-CN202211624885.3在审
发明人：王慧敏 -专利权人：华芯巨数（杭州）微电子有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路设计与光刻制造模拟领域，特别涉及一种掩模版图违例自动修复方法、数据库训练方法、系统及计算机设备。本发明提供一种掩模版图违例自动修复方法，包括以下步骤：提供数据库，数据库包括预设违例图形和预设修复命令；获取初始掩模版图中的布线图形，将布线图形与数据库内的预设违例图形进行匹配以获取违例图形；基于预设修复命令对违例图形进行修复并输出最终掩模版图本发明还提供一种掩模版图违例数据库训练方法、系统及计算机设备。解决了现有设计版图中违例无法自动进行修复的问题。
一种模版违例自动修复方法数据库训练系统计算机设备

[发明专利]一种掩模版缺陷修复方法及装置-CN202010079423.2在审
发明人：吴睿轩;韦亚一;董立松 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明公开一种掩模版缺陷修复方法及装置，涉及光刻技术领域，以快速准确的修复各种图形的掩模版的缺陷，使得掩模版缺陷的修复方式具有普适性。所述掩模版缺陷修复方法包括：接收掩模版的几何结构信息；根据所述掩模版的几何结构信息对掩模版图形进行分段编码，获得图形分段编码；所述图形分段编码包括至少一种图形特征分段编码；采用遗传算法对所述图形分段编码进行优化，获得图形分段编码的优化结果；根据所述图形分段编码的优化结果修复所述掩模版图形的缺陷。所述装置应用于上述技术方案所提的掩模版缺陷修复方法。本发明提供的掩模版缺陷修复方法用于修复掩模版缺陷。
一种模版缺陷修复方法装置

[发明专利]一种光掩模版图形的修正方法、装置、设备及介质-CN202310043073.8有效
发明人：李可玉;罗招龙;王康;刘秀梅;赵广 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供一种光掩模版图形的修正方法、装置、设备及介质，包括：获取初始掩模版图，所述初始掩模版图包括多个稀疏图形；调整某一个所述稀疏图形的所处位置，使得该所述稀疏图形周围满足预设条件；分别获取该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值；调整该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和，使所述绝对值之和小于预设值，该所述稀疏图形位置调整完成；分别调整其余稀疏图形的位置，直至所有稀疏图形位置都调整好后，取得所述所有稀疏图形的位置，生成目标掩模版图。通过本发明公开的一种光掩模版图形的修正方法、装置、设备及介质，能够达到较好的收敛度。
一种模版图形修正方法装置设备介质

[发明专利]一种优化掩模版图的方法-CN201710351038.7有效
发明人：施伟杰;高澎铮 -专利权人：东方晶源微电子科技(北京)有限公司;深圳晶源信息技术有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种优化掩模版图的方法，包括步骤S1：提供已布局的芯片设计图形的掩模版图，掩模版图包括第一主图形以及布设在第一主图形周围的多个第一亚分辨率辅助图形，还包括第二主图形以及布设在第二主图形周围的多个第二亚分辨率辅助图形，所述第一亚分辨率辅助图形和第二亚分辨率辅助图形定义一冲突区域；步骤S2：在掩模版图上截取所述冲突区域，并获取该冲突区域的透光率分布灰度图，根据透光率分布灰度图的灰度值统计量大小为该冲突区域内的亚分辨率辅助图形设定优先级；步骤S3：去除优先级低的亚分辨率辅助图形，获取优化后的掩模版图。本发明可以有效的补充主图形周围的空间频率。
一种优化模版方法

[发明专利]一种基于掩模版拐角圆化的计算光刻方法及装置-CN201910103564.0有效
发明人：阎江;梁文青 -专利权人：墨研计算科学（南京）有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于掩模版拐角圆化的计算光刻方法及装置，在获取晶圆表面的光强分布之前，通过圆化处理图形对预先设计的理想的掩模版图形进行圆化处理，获取掩模版的几何图形，通过理想的掩模版图形以及圆化处理图形在频域上的响应函数，获取几何图形的响应函数，根据几何图形的响应函数，计算晶圆表面光强分布。相较于现有技术，本申请中的计算光刻方法所使用的圆化处理图形的一边为圆弧边，通过圆化处理图形对掩模版图形的拐角进行处理之后，能够有效消除与实际光刻工艺中圆化的拐角之间的偏差，保证了计算光刻结果的精确度。
一种基于模版拐角计算光刻方法装置

[发明专利]掩模版图、掩模版制造方法和掩模版图校正方法-CN200910201194.0有效
发明人：朴世镇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种掩模版图、掩模版制造方法和掩模版图校正方法，其中，所述掩模版图包括用于根据曝光显影工艺以形成产品图形的设计图形，还包括：辅助图形，具有不超过曝光分辨率的尺寸，并且在曝光之后形成对所述设计图形的曝光损失进行补偿的区域本发明通过设置辅助图形，有效地对所述设计图形的曝光失真进行补偿，从而使所获得的产品的关键尺寸愈加接近于期望尺寸，并节约了大量进行比较和调试的时间和精力，提高了生产效率，节约了生产成本。
模版制造方法校正

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